Microchip Operationsverstärker Oberfläche 1 MHz SOIC, biplor typ. 6V, biplor typ. 6 V, 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 352-126
- Herst. Teile-Nr.:
- MCP6L02T-E/SN
- Hersteller:
- Microchip
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- RS Best.-Nr.:
- 352-126
- Herst. Teile-Nr.:
- MCP6L02T-E/SN
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- Microchip
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | Operationsverstärker | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Anzahl der Kanäle | 2 | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP | 1MHz | |
| Minimale Versorgungsspannung | 6V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 6V | |
| Slew Rate | 0.6V/μs | |
| Vos - Eingangs-Offsetspannung | ±1 mV | |
| Eingangsruhestrom | 2 pA | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Länge | 6mm | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Serie | MCP6L02 | |
| Ausgangsstrom | 20mA | |
| Offset-Eingangsstrom | ±1 pA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ Operationsverstärker | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Anzahl der Kanäle 2 | ||
Pinanzahl 8 | ||
Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP 1MHz | ||
Minimale Versorgungsspannung 6V | ||
Maximale Versorgungsspannung 6V | ||
Slew Rate 0.6V/μs | ||
Vos - Eingangs-Offsetspannung ±1 mV | ||
Eingangsruhestrom 2 pA | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Länge 6mm | ||
Höhe 1.75mm | ||
Serie MCP6L02 | ||
Ausgangsstrom 20mA | ||
Offset-Eingangsstrom ±1 pA | ||
Der Dual-Allzweck-Operationsverstärker von Microchip bietet Rail-to-Rail-Eingang und -Ausgang über den Betriebsbereich von 1,8 bis 6 V. Dieser Verstärker hat eine typische GBWP von 1 MHz mit einem typischen Ruhestrom von 85 Mikroampere. Der MCP6L02 ist in 8-poligen SOIC- und MSOP-Gehäusen erhältlich.
Verstärkungs-Bandbreiten-Produkt GBWP 1 MHz
Ruhestrom 85 μA (typ.)
Versorgungsspannungsbereich 1,8V bis 6V
Rail to Rail Eingang und Ausgang
Erweiterter Temperaturbereich
Platzsparendes Gehäuse mit 8-poligem SOIC und MSOP
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