STMicroelectronics OMNIFET II Leistungsschalter-IC OMNIFET: Vollständig automatisch geschützter Leistungs-MOSFET
- RS Best.-Nr.:
- 877-3131
- Herst. Teile-Nr.:
- VND7NV04TR-E
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Derzeit nicht erhältlich
Leider können wir keine Angaben machen, wann dieser Artikel wieder vorrätig sein wird.
- RS Best.-Nr.:
- 877-3131
- Herst. Teile-Nr.:
- VND7NV04TR-E
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Leistungsschalter-IC | |
| Topologie des Netzschalters | High-Side | |
| Schaltertyp | OMNIFET: Vollständig automatisch geschützter Leistungs-MOSFET | |
| Einschaltwiderstand RdsOn | 120mΩ | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 40V | |
| Betriebsstrom | 6A | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Normen/Zulassungen | 2002/95/EC European Directive | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Länge | 6.6mm | |
| Serie | OMNIFET II | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Leistungsschalter-IC | ||
Topologie des Netzschalters High-Side | ||
Schaltertyp OMNIFET: Vollständig automatisch geschützter Leistungs-MOSFET | ||
Einschaltwiderstand RdsOn 120mΩ | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Versorgungsspannung 40V | ||
Betriebsstrom 6A | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Normen/Zulassungen 2002/95/EC European Directive | ||
Höhe 2.4mm | ||
Länge 6.6mm | ||
Serie OMNIFET II | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Vollständig automatisch geschützter OMNIFET-Leistungs-MOSFET, STMicroelectronics
Die Serie OMNIFET von vollständig automatisch geschützten Treibern auf der Niederspannungsseite wird gemessen an den Kriterien Robustheit und verbesserte Zuverlässigkeit. Diese Halbleiterrelaisschalter wurden für induktive oder ohmsche Lasten insbesondere in der Automobilindustrie entwickelt.
Lineare Strombegrenzung
thermische Abschaltung
Kurzschlussschutz
ESD-Schutz
Integrierte Klemme
Intelligente Leistungsschalter, STMicroelectronics
Verwandte Links
- STMicroelectronics OMNIFET II Leistungsschalter-IC OMNIFET: Vollständig automatisch geschützter Leistungs-MOSFET
- STMicroelectronics OMNIFET II Leistungsschalter-IC High-Side 60 mΩ 3-Pin SOT-223
- STMicroelectronics OMNIFET II Leistungsschalter-IC High-Side 35 mΩ 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics Leistungsschalter-IC OMNIFET: Vollständig automatisch geschützter Leistungs-MOSFET High-Side 0.028 Ω
- STMicroelectronics Leistungsschalter-IC OMNIFET: Vollständig automatisch geschützter Leistungs-MOSFET High-Side 3-Pin
- STMicroelectronics Leistungsschalter-IC OMNIFET: Vollständig automatisch geschützter Leistungs-MOSFET High-Side 8-Pin
- STMicroelectronics Leistungsschalter-IC OMNIFET: Vollständig automatisch geschützter Leistungs-MOSFET Low-Side 3-Pin 1
- STMicroelectronics Leistungsschalter-IC High-Side 0.05 Ω 3-Pin TO-263