Toshiba 8 Leistungsschalter-IC Netzschalter, Hochspannungsseite High-Side 1.2 Ω 24-Pin 8 Ausg. SSOP
- RS Best.-Nr.:
- 760-3271
- Herst. Teile-Nr.:
- TPD2005F(EL,F)
- Hersteller:
- Toshiba
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Schaltertyp | Netzschalter, Hochspannungsseite | |
| Produkt Typ | Leistungsschalter-IC | |
| Topologie des Netzschalters | High-Side | |
| Einschaltwiderstand RdsOn | 1.2Ω | |
| Anzahl der Ausgänge | 8 | |
| Anzahl der Eingänge | 8 | |
| Nennleistung | 1.2W | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SSOP | |
| Maximale Versorgungsspannung | 40V | |
| Pinanzahl | 24 | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Höhe | 1.4mm | |
| Breite | 6mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 13.5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Schaltertyp Netzschalter, Hochspannungsseite | ||
Produkt Typ Leistungsschalter-IC | ||
Topologie des Netzschalters High-Side | ||
Einschaltwiderstand RdsOn 1.2Ω | ||
Anzahl der Ausgänge 8 | ||
Anzahl der Eingänge 8 | ||
Nennleistung 1.2W | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SSOP | ||
Maximale Versorgungsspannung 40V | ||
Pinanzahl 24 | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Höhe 1.4mm | ||
Breite 6mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 13.5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Intelligente Leistungsschalter (IPDs), Toshiba
Der TPD1030F ist ein 2-in-1-Schalter für die Niederspannungsseite
Der TPD2005F ist ein 8-Kanal-Array für die Hochspannungsseite
Der TPD2007F ist ein 8-Kanal-Array für die Niederspannungsseite
Schaltanwendungen für Motoren, Magnete und Lampentreiber
Netz- und Lastschalter, Toshiba
Integrierte intelligente Leistungsschaltkreise für die Hochspannungs- und Niederspannungsseite mit vielen Schutzfunktionen wie zum Beispiel Überstrom, Überspannung, Kurzschluss, offener Stromkreis , Überhitzung und Umpolen der Versorgungsspannung. Diese sehr integrierten Geräte nutzen MOSFET-Transistoren mit geringem Widerstand, um Verluste zu minimieren und einen hohen Wirkungsgrad zu garantieren.
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