Infineon BTF3050EJ Leistungsschalter-IC Low-Side 100 mΩ 8-Pin 5 Ausg. PG-TDSO-8
- RS Best.-Nr.:
- 250-0571
- Herst. Teile-Nr.:
- BTF3050EJXUMA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Topologie des Netzschalters | Low-Side | |
| Produkt Typ | Leistungsschalter-IC | |
| Einschaltwiderstand RdsOn | 100mΩ | |
| Schnittstellentyp | Seriell | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | PG-TDSO-8 | |
| Minimale Versorgungsspannung | 3V | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Betriebsstrom | 4A | |
| Länge | 4.9mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 1.15mm | |
| Serie | BTF3050EJ | |
| Automobilstandard | AEC-Q100, AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Topologie des Netzschalters Low-Side | ||
Produkt Typ Leistungsschalter-IC | ||
Einschaltwiderstand RdsOn 100mΩ | ||
Schnittstellentyp Seriell | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße PG-TDSO-8 | ||
Minimale Versorgungsspannung 3V | ||
Pinanzahl 8 | ||
Maximale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Betriebsstrom 4A | ||
Länge 4.9mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 1.15mm | ||
Serie BTF3050EJ | ||
Automobilstandard AEC-Q100, AEC-Q101 | ||
Der 50 mΩ Einkanal-Low-Side-Leistungsschalter von Infineon befindet sich in einem PG-TDSO-8-31-Gehäuse und bietet integrierte Schutzfunktionen. Der Leistungstransistor besteht aus einem vertikalen N-Kanal-Leistungs-MOSFET. Das Gerät ist monolithisch integriert. Der BTF3050EJ ist automotive-tauglich und wurde für 12-Volt-Automobil- und Industrieanwendungen optimiert.
Schnelle Entmagnetisierung induktiver Lasten
Optimierte elektromagnetische Verträglichkeit (EMV)
Überlastungsschutz, Strombegrenzung, Kurzschlussschutz und thermische Abschaltung mit Neustart
Schutz vor Batterieumkehr mit externem Widerstand und Schutz vor elektrostatischer Entladung (ESD)
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