ROHM Leistungsschalter-IC Lastschalter High-Side 70 mΩ 46-Pin 1 Ausg. VQFN046V8080
- RS Best.-Nr.:
- 687-345
- Herst. Teile-Nr.:
- BM3G107MUV-LBE2
- Hersteller:
- ROHM
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Schaltertyp | Lastschalter | |
| Topologie des Netzschalters | High-Side | |
| Produkt Typ | Leistungsschalter-IC | |
| Einschaltwiderstand RdsOn | 70mΩ | |
| Anzahl der Ausgänge | 1 | |
| Minimale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Gehäusegröße | VQFN046V8080 | |
| Pinanzahl | 46 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 105°C | |
| Betriebsstrom | 3.5A | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Schaltertyp Lastschalter | ||
Topologie des Netzschalters High-Side | ||
Produkt Typ Leistungsschalter-IC | ||
Einschaltwiderstand RdsOn 70mΩ | ||
Anzahl der Ausgänge 1 | ||
Minimale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Gehäusegröße VQFN046V8080 | ||
Pinanzahl 46 | ||
Maximale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 105°C | ||
Betriebsstrom 3.5A | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die hochmoderne 650-V-GaN HEMT-Leistungsstufe von ROHM wurde speziell für industrielle Anwendungen mit hoher Dichte entwickelt. Dieses innovative Produkt integriert einen Gate-Treiber und Schutzfunktionen in ein kompaktes VQFN-Gehäuse, was die Effizienz erheblich verbessert und die Systemgröße reduziert. Mit seiner verbesserten Schaltleistung ist er eine ideale Lösung für Stromversorgungen, die eine hervorragende Leistungsdichte und geringere elektromagnetische Störungen erfordern. Die Integration fortschrittlicher Technologien gewährleistet eine optimale Leistung und macht ihn zu einer vielseitigen Wahl für den Ersatz herkömmlicher Leistungsschalter in anspruchsvollen Umgebungen.
Großer Betriebsbereich für Eingangs- und Versorgungsspannungen gewährleistet Kompatibilität mit verschiedenen Anwendungen
Geringe Ruhestrom- und Betriebsströme verbessern die Energieeffizienz
Einstellbare Gate-Antriebsstärke unterstützt verschiedene EMI-Anforderungen
Integrierte Schutzvorrichtungen einschließlich VDD UVLO und thermischer Abschaltung gegen Betriebsfehler
Hohe dv/dt-Störfestigkeit bietet zuverlässige Leistung in Umgebungen mit schnellem Schalten
Der Power-Good-Signalausgang vereinfacht die Überwachung des Betriebsstatus
Kompaktes Gehäusedesign optimiert den Platzbedarf auf der Leiterplatte, ohne die Funktionalität zu beeinträchtigen
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