STMicroelectronics Leistungsschalter-IC 16 mΩ 7-Pin HPAK-7
- RS Best.-Nr.:
- 330-555
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT016H120G3AG
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Leistungsschalter-IC | |
| Einschaltwiderstand RdsOn | 16mΩ | |
| Nennleistung | 652W | |
| Gehäusegröße | HPAK-7 | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 1200V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Betriebsstrom | 112A | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Leistungsschalter-IC | ||
Einschaltwiderstand RdsOn 16mΩ | ||
Nennleistung 652W | ||
Gehäusegröße HPAK-7 | ||
Pinanzahl 7 | ||
Maximale Versorgungsspannung 1200V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Betriebsstrom 112A | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Ausgenommen
Der Power-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Er zeichnet sich durch einen sehr niedrigen RDS(on) über einen weiten Temperaturbereich aus, kombiniert mit geringen Kapazitäten und hoher Schaltfähigkeit. Diese Eigenschaften verbessern die Anwendungsleistung, indem sie die Frequenz und die Energieeffizienz erhöhen und eine Verringerung der Systemgröße und des Gewichts ermöglichen.
Hochgeschwindigkeits-Schaltleistungen
Quellensensorstift für mehr Effizienz
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