STMicroelectronics 8 Leistungsschalter-IC High-Side High-Side 12-Pin 2 Ausg. PowerSSO-12
- RS Best.-Nr.:
- 151-496
- Herst. Teile-Nr.:
- VNI2140J
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Topologie des Netzschalters | High-Side | |
| Produkt Typ | Leistungsschalter-IC | |
| Schaltertyp | High-Side | |
| Anzahl der Ausgänge | 2 | |
| Anzahl der Eingänge | 8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | PowerSSO-12 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 45V | |
| Pinanzahl | 12 | |
| Betriebsstrom | 1A | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 6mm | |
| Länge | 8mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Topologie des Netzschalters High-Side | ||
Produkt Typ Leistungsschalter-IC | ||
Schaltertyp High-Side | ||
Anzahl der Ausgänge 2 | ||
Anzahl der Eingänge 8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße PowerSSO-12 | ||
Maximale Versorgungsspannung 45V | ||
Pinanzahl 12 | ||
Betriebsstrom 1A | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 6mm | ||
Länge 8mm | ||
Höhe 1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MA
Das Halbleiterrelais von STMicroelectronics ist ein monolithischer Baustein, der mit VIPower-Technologie entwickelt wurde. Bei Überlast schaltet der Kanal automatisch AUS und EIN, um die Sperrschichttemperatur zwischen TTSD und TR zu halten. Wenn die Gehäusetemperatur TCSD erreicht, wird der überlastete Kanal ausgeschaltet und erst wieder eingeschaltet, wenn die Gehäusetemperatur auf TCR sinkt. Wenn mehr als ein Kanal überlastet ist, erfolgt der TCSD-Neustart nicht gleichzeitig, um hohe Stromspitzen in der Versorgung zu vermeiden. Nicht überlastete Kanäle arbeiten normal weiter.
Kurzschlussschutz
Übertemperaturschutz der Anschlüsse
Übertemperaturschutz des Gehäuses für thermische Unabhängigkeit der Kanäle
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