STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 17 A 190 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 920-6698
- Herst. Teile-Nr.:
- STW20NK50Z
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
€ 72,36
(ohne MwSt.)
€ 86,82
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- 180 Einheit(en) mit Versand ab 02. Dezember 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | € 2,412 | € 72,36 |
| 150 - 270 | € 2,299 | € 68,97 |
| 300 + | € 1,987 | € 59,61 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 920-6698
- Herst. Teile-Nr.:
- STW20NK50Z
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 17A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 270mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 85nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 190W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 15.75mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 20.15mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 17A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 270mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 85nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 190W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 15.75mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 20.15mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V bis 650 V, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Verwandte Links
- STMicroelectronics MDmesh Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 17 A 190 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 14 A 150 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 10.5 A 190 W, 3-Pin
- STMicroelectronics MDmesh Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 7.2 A 110 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 14 A 35 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 14 A 150 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 900 V / 5.8 A 140 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 9 A 160 W, 3-Pin TO-247