STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 7.2 A 30 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 486-2379
- Herst. Teile-Nr.:
- STP9NK50ZFP
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
€ 12,60
(ohne MwSt.)
€ 15,10
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 75 Einheit(en) mit Versand ab 13. Juli 2026
- Zusätzlich 25 Einheit(en) mit Versand ab 20. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 2,52 | € 12,60 |
| 50 - 120 | € 2,172 | € 10,86 |
| 125 + | € 1,704 | € 8,52 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 486-2379
- Herst. Teile-Nr.:
- STP9NK50ZFP
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 850mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 32nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 30W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 9.3mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 850mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 32nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 30W | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 9.3mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Ausgenommen
N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V bis 650 V, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Verwandte Links
- STMicroelectronics Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 7.2 A 110 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 14 A 35 W, 3-Pin TO-220