Infineon LogicFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 17 A 79 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 919-4889
- Herst. Teile-Nr.:
- IRL530NPBF
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
€ 25,30
(ohne MwSt.)
€ 30,35
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- 2 000 Einheit(en) mit Versand ab 07. Jänner 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 0,506 | € 25,30 |
| 250 - 950 | € 0,413 | € 20,65 |
| 1000 - 2450 | € 0,408 | € 20,40 |
| 2500 + | € 0,403 | € 20,15 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 919-4889
- Herst. Teile-Nr.:
- IRL530NPBF
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 17A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | LogicFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 100mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 79W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 34nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -16V, +16V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 4.69mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 8.77mm | |
| Länge | 10.54mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 17A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie LogicFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 100mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 79W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 34nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -16V, +16V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 4.69mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 8.77mm | ||
Länge 10.54mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon
Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Verwandte Links
- Infineon LogicFET N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon LogicFET N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon LogicFET N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon LogicFET N-Kanal 3-Pin JEDEC TO-220AB
- onsemi QFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET N-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon Einfach LogicFET N-Kanal 1 Durchsteckmontage MOSFET 55 V Erweiterung / 104 A 200 W, 3-Pin
- Infineon HEXFET N-Kanal 3-Pin TO-220