Vishay Si2333DDS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 6 A 1.7 W, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
919-4220
Herst. Teile-Nr.:
SI2333DDS-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

12V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

Si2333DDS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

19Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

1.7W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

23nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.04mm

Höhe

1.02mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

P-Kanal MOSFET, 8 V bis 20 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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