Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,3 A 1,7 W, 3-Pin SOT-23

RS Best.-Nr.:: 812-3110
Herst. Teile-Nr.:: SI2323DDS-T1-GE3
Hersteller:: Vishay

Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,3 A 1,7 W, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:: 812-3110
Herst. Teile-Nr.:: SI2323DDS-T1-GE3
Hersteller:: Vishay

Si2323DDS, P-Channel 20V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	4,3 A
Drain-Source-Spannung max.	20 V
Gehäusegröße	SOT-23
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	75 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	0.4V
Verlustleistung max.	1,7 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–8 V, +8 V
Länge	3.04mm
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	1.4mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	24 nC @ 8 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	1.02mm

Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,3 A 1,7 W, 3-Pin SOT-23

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P-Kanal MOSFET, 8 V bis 20 V, Vishay Semiconductor

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