Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 20 V / 2.9 A 0.86 W, 3-Pin SOT-23

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*

€ 8,55

(ohne MwSt.)

€ 10,25

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt - Bitte versuchen Sie es später noch einmal

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
25 - 225€ 0,342€ 8,55
250 - 600€ 0,321€ 8,03
625 - 1225€ 0,29€ 7,25
1250 - 2475€ 0,274€ 6,85
2500 +€ 0,256€ 6,40

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
152-6358
Herst. Teile-Nr.:
SI2302DDS-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.075Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.5nC

Maximale Verlustleistung Pd

0.86W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.04mm

Höhe

1.02mm

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21, RoHS

Automobilstandard

Nein

Halogenfrei

Leistungs-MOSFET TrenchFET®

100 % Rg-geprüft

ANWENDUNGEN

Lastschaltung für tragbare Geräte

DC/DC-Wandler

Verwandte Links