Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 20 V / 2.9 A 0.86 W, 3-Pin SOT-23

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
152-6358
Herst. Teile-Nr.:
SI2302DDS-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.075Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

0.86W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.5nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21, RoHS

Höhe

1.02mm

Länge

3.04mm

Automobilstandard

Nein

Halogenfrei

Leistungs-MOSFET TrenchFET®

100 % Rg-geprüft

ANWENDUNGEN

Lastschaltung für tragbare Geräte

DC/DC-Wandler

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