Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 3.6 A 1.1 W, 3-Pin SI2300DS-T1-GE3 SOT-23

RS Best.-Nr.:: 180-7944
Herst. Teile-Nr.:: SI2300DS-T1-GE3
Hersteller:: Vishay

Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 3.6 A 1.1 W, 3-Pin SI2300DS-T1-GE3 SOT-23

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RS Best.-Nr.:: 180-7944
Herst. Teile-Nr.:: SI2300DS-T1-GE3
Hersteller:: Vishay

Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	3.6A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Gehäusegröße	SOT-23
	Serie	TrenchFET
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	68mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	3nC
	Maximale Verlustleistung Pd	1.1W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	12 V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	1.12mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	2.64 mm
	Länge	3.04mm
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.6A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Gehäusegröße SOT-23
	Serie TrenchFET
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 68mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3nC
	Maximale Verlustleistung Pd 1.1W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 12 V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 1.12mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 2.64 mm
	Länge 3.04mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet

Ursprungsland:: CN

Vishay MOSFET

Der Vishay N-Kanal-MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 30 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 12 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 68 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 4,5 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 1,7 W und einen Dauerstrom von 3,6 A. Die minimale und maximale Treiberspannung für diesen Transistor beträgt 2,5 V bzw. 4,5 V. Der MOSFET wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile

• Halogenfrei

• bleifrei (Pb)

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.

• TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Anwendungen

• DC/DC-Wandler für tragbare Geräte

• Lastschalter

Zertifizierungen

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg-geprüft