IXYS X2-Class N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 8 A 150 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 917-1479
Herst. Teile-Nr.:: IXTP8N65X2
Hersteller:: IXYS

IXYS X2-Class N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 8 A 150 W, 3-Pin TO-220

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Herst. Teile-Nr.:: IXTP8N65X2
Hersteller:: IXYS

N-ch X2-Class Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	8 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Gehäusegröße	TO-220
Serie	X2-Class
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	500 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	150 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Breite	15.9mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	12 nC @ 10 V
Länge	10.3mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.4V
Höhe	4.7mm

IXYS X2-Class N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 8 A 150 W, 3-Pin TO-220

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N-Kanal-Leistungs-MOSFET, Serie X2, IXYS

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