IXYS X2-Class Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 102 A 1040 W, 3-Pin TO-264P
- RS Best.-Nr.:
- 917-1423
- Distrelec-Artikelnummer:
- 302-53-426
- Herst. Teile-Nr.:
- IXTK102N65X2
- Hersteller:
- IXYS
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 102A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-264P | |
| Serie | X2-Class | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1040W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 152nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.4V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | International Standard Packages | |
| Länge | 20.3mm | |
| Höhe | 5.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 102A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-264P | ||
Serie X2-Class | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1040W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 152nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.4V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen International Standard Packages | ||
Länge 20.3mm | ||
Höhe 5.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, Serie X2, IXYS
Die Leistungs-MOSFETs der Klasse X2 von IXYS bieten einen deutlich verringerten Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringe Gate-Ladung im Vergleich zu früheren Generationen von Leistungs-MOSFETs, was zu geringeren Verlusten und einer höheren Betriebseffizienz führt. Diese robusten Geräte umfassen eine Intrinsic-Diode, und sie sind für hartes Schalten ebenso wie für den Resonanzbetrieb geeignet. Leistungs-MOSFETs der Klasse X2 sind in einer Reihe von Industriestandard-Gehäusen einschließlich isolierten Typen mit Nennströmen von bis zu 120 A bei 650 V erhältlich. Typische Anwendungen umfassen: DC/DC-Wandler, AC- und DC-Motorantriebe, Schalt- und Resonanznetzteile, DC-Chopper, Solarwechselrichter, Temperatur- und Beleuchtungssteuerung.
Sehr niedriger RDS(ein) und QG (Gate-Ladung)
Intrinsic-Gleichrichterdiode
Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand
Niedrige Gehäuseinduktivität
Industriestandard-Gehäuse
MOSFET-Transistoren, IXYS
Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS
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