Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 13.6 A 2.5 W, 8-Pin SOIC

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915-4963
Herst. Teile-Nr.:
IRF7821TRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

13.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

12.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

9.3nC

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

155°C

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4 mm

Höhe

1.5mm

Automobilstandard

Nein

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