Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 24 A 2.5 W, 8-Pin SOIC

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130-0967
Herst. Teile-Nr.:
IRF8788TRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

24A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

44nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

5mm

Höhe

1.5mm

Breite

4 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon


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