Infineon HEXFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 8 A 2 W, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 915-4954
Herst. Teile-Nr.:: IRF7351TRPBF
Hersteller:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 8 A 2 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:: 915-4954
Herst. Teile-Nr.:: IRF7351TRPBF
Hersteller:: Infineon

IRF7351PbF Dual N-channel HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	8 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Gehäusegröße	SOIC
Serie	HEXFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	17,8 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	2 W
Transistor-Konfiguration	Isoliert
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	4mm
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Gate-Ladung typ. @ Vgs	24 nC @ 10 V
Länge	5mm
Diodendurchschlagsspannung	1.3V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	1.5mm

Infineon HEXFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 8 A 2 W, 8-Pin SOIC

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Zweifacher N-Kanal-Leistungs-MOSFET, Infineon

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