Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 162 A 3,8 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)

RS Best.-Nr.:: 913-3815
Herst. Teile-Nr.:: IRF1404LPBF
Hersteller:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 162 A 3,8 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)

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N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 40 V, Infineon

Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 162A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 3,8W maximale Verlustleistung - IRF1404LPBF

Dieser MOSFET bietet eine effiziente Lösung für verschiedene elektronische Anwendungen, insbesondere dort, wo eine hohe Leistung erforderlich ist. Dank seiner fortschrittlichen Verarbeitungstechniken eignet er sich für Automatisierungs- und elektronische Steuersysteme und trägt zu modernen Energiemanagementgeräten bei.

Eigenschaften und Vorteile

• Liefert einen kontinuierlichen Drain-Strom von 162 A für robuste Leistung
• Widersteht einer maximalen Drain-Source-Spannung von 40 V für einen sicheren Betrieb
• Niedriger Einschaltwiderstand (RDS(on)) von 4 mΩ zur Verbesserung der Energieeffizienz
• Verwendet die Enhancement-Mode-Technologie für verbesserte Schaltleistung
• Unterstützt die Durchsteckmontage und erleichtert die Integration in bestehende Designs

Anwendungsbereich

• Einsatz in Hochstromkreisen zur Leistungsregelung
• Geeignet für Stromversorgungskonzepte in der industriellen Automatisierung
• Angewandt in Antrieben und Steuerungssystemen für Elektromotoren
• Ideal für DC-DC-Wandler in erneuerbaren Energiesystemen

Wie hoch ist die maximale Verlustleistung?

Er kann unter bestimmten Bedingungen eine Verlustleistung von bis zu 3,8 W bewältigen, was eine optimale Leistung ohne Überhitzung während des Betriebs gewährleistet.

Ist sie mit oberflächenmontierten Designs kompatibel?

Obwohl er in erster Linie im I2PAK-Gehäuse für Durchgangslochanwendungen eingesetzt wird, kann er auch in andere industrielle Designs integriert werden, die robuste Komponenten erfordern.

Wie sollte es für eine optimale Leistung montiert werden?

Beachten Sie die korrekten Montagetechniken für die Durchsteckmontage, um eine sichere Lötung zu gewährleisten und thermische und mechanische Ausfälle während des Betriebs zu vermeiden.

Was sind die Folgen einer Überschreitung der festgelegten Grenzwerte?

Ein Überschreiten der Grenzwerte für den kontinuierlichen Drain-Strom oder die Spannung kann zu einer thermischen Überlastung oder dauerhaften Beschädigung des Geräts führen und die Zuverlässigkeit des gesamten Systems beeinträchtigen.

Kann dieses Bauteil nach dem Einbau wiederverwendet werden?

Eine erneute Installation ist möglich, wenn sorgfältige Demontagetechniken angewandt werden, obwohl wiederholte Temperaturwechsel die langfristige Zuverlässigkeit beeinträchtigen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	162 A
Drain-Source-Spannung max.	40 V
Gehäusegröße	I2PAK (TO-262)
Serie	HEXFET
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	4 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	3,8 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	160 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Höhe	10.54mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C