Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 430 mA 1.8 W, 4-Pin SOT-223

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*

€ 222,00

(ohne MwSt.)

€ 266,00

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 6 000 Einheit(en) mit Versand ab 27. Jänner 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
1000 +€ 0,222€ 222,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
911-4969
Herst. Teile-Nr.:
BSP317PH6327XTSA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

430mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

250V

Gehäusegröße

SOT-223

Serie

SIPMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

1.8W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

11.6nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

3.5 mm

Länge

6.5mm

Höhe

1.6mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
DE

Infineon SIPMOS® P-Kanal-MOSFETs


Die Kleinsignal-P-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS® besitzen verschiedene Merkmale wie den Verbesserungsmodus, einen durchgängigen Drain-Strom bis herunter auf –80 A sowie einen großen Betriebstemperaturbereich. Der SIPMOS-Leistungstransistor kann in einer Vielzahl von Anwendungen wie Telekommunikation, eMobility, Notebooks, DC/DC-Geräten sowie in der Automobilindustrie verwendet werden.

· AEC Q101-qualifiziert (siehe Datenblatt)

· Bleifreie Kabelbeschichtung, RoHS-konform

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Verwandte Links