Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 130 A 300 W, 7-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
906-4283
Herst. Teile-Nr.:
IPB065N15N3GATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

130A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

OptiMOS 3

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

70nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

300W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

4.57 mm

Höhe

9.45mm

Länge

10.31mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Ausgenommen

Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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