STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1 kV / 2.2 A 90 W, 3-Pin TO-252

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

€ 13,86

(ohne MwSt.)

€ 16,63

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 2 215 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 5€ 2,772€ 13,86
10 +€ 2,632€ 13,16

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
906-2776
Herst. Teile-Nr.:
STD4NK100Z
Hersteller:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1kV

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.8Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

90W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

18nC

Durchlassspannung Vf

1.6V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.2 mm

Länge

6.6mm

Höhe

2.4mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics


MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


Verwandte Links