STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1 kV / 13 A 350 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 687-5248
- Herst. Teile-Nr.:
- STW13NK100Z
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
€ 10,93
(ohne MwSt.)
€ 13,12
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 178 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | € 10,93 |
| 10 - 99 | € 9,40 |
| 100 - 499 | € 7,81 |
| 500 + | € 6,89 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 687-5248
- Herst. Teile-Nr.:
- STW13NK100Z
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1kV | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 700mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 190nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 350W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 15.75mm | |
| Höhe | 20.15mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1kV | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 700mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 190nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 350W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 15.75mm | ||
Höhe 20.15mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Verwandte Links
- STMicroelectronics MDmesh Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1 kV / 13 A 350 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1 kV / 8.3 A 230 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1 kV / 3.5 A 125 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1 kV / 3.5 A 125 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1 kV / 2.5 A 25 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1 kV / 6.5 A 160 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1 kV / 3.5 A 30 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1 kV / 1.85 A 70 W, 3-Pin IPAK