Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 29 A 37 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 903-4490
- Herst. Teile-Nr.:
- SiHF30N60E-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
€ 12,24
(ohne MwSt.)
€ 14,68
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Wird eingestellt
- Letzte 850 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 6,12 | € 12,24 |
| 20 - 48 | € 5,755 | € 11,51 |
| 50 - 98 | € 5,51 | € 11,02 |
| 100 - 198 | € 4,90 | € 9,80 |
| 200 + | € 4,59 | € 9,18 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 903-4490
- Herst. Teile-Nr.:
- SiHF30N60E-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 29A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | E | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 125mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 37W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 85nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.83 mm | |
| Höhe | 16.12mm | |
| Länge | 10.63mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 29A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie E | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 125mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 37W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 85nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.83 mm | ||
Höhe 16.12mm | ||
Länge 10.63mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal-MOSFET, E-Serie, Niedriger Gütefaktor, Vishay Semiconductor
Die Leistungs-MOSFETs der Serie E von Vishay umfassen Hochspannungs-Transistoren mit einem ultraniedrigen maximalen Widerstand und niedrigem Gütefaktor und ermöglichen schnelles Schalten. Sie sind in zahlreichen Nennströmen erhältlich. Typische Anwendungen umfassen Server und Stromversorgung für die Telekommunikation, LED-Beleuchtung, Sperrwandler, Leistungsfaktorkorrektur (PFC) und Schaltnetzteile (SMPS).
Merkmale
Niedriger Gütefaktor (FOM), niedriger RDS(ein) x Qg
Niedrige Eingangskapazität (Ciss)
Niedriger Widerstand (RDS(ein))
Ultraniedrige Gatterladung (Qg)
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Verwandte Links
- Vishay E Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Vishay E Typ N-Kanal 3-Pin SiHG30N60E-GE3 TO-247
- Vishay E Typ N-Kanal 4-Pin SIHP065N60E-GE3 TO-220
- Vishay E Typ N-Kanal 3-Pin SiHA5N80AE-GE3 TO-220
- Vishay E Typ N-Kanal 3-Pin SiHA690N60E-GE3 TO-220
- Vishay E Typ N-Kanal 3-Pin SIHA100N60E-GE3 TO-220
- Vishay E Typ N-Kanal 3-Pin TO-247
- Vishay E Typ N-Kanal 3-Pin SIHB30N60E-GE3 TO-263