Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 47 A 357 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 768-9332
- Herst. Teile-Nr.:
- SiHG47N60E-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
€ 8,47
(ohne MwSt.)
€ 10,16
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 8 Einheit(en) versandfertig
- Zusätzlich 20 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 229 Einheit(en) mit Versand ab 04. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | € 8,47 |
| 10 - 24 | € 7,37 |
| 25 - 49 | € 6,78 |
| 50 - 99 | € 5,94 |
| 100 + | € 5,33 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 768-9332
- Herst. Teile-Nr.:
- SiHG47N60E-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 47A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | E | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 64mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 147nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 357W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 5.31 mm | |
| Höhe | 20.7mm | |
| Länge | 15.87mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 47A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie E | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 64mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 147nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 357W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 5.31 mm | ||
Höhe 20.7mm | ||
Länge 15.87mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET, E-Serie, Niedriger Gütefaktor, Vishay Semiconductor
Die Leistungs-MOSFETs der Serie E von Vishay umfassen Hochspannungs-Transistoren mit einem ultraniedrigen maximalen Widerstand und niedrigem Gütefaktor und ermöglichen schnelles Schalten. Sie sind in zahlreichen Nennströmen erhältlich. Typische Anwendungen umfassen Server und Stromversorgung für die Telekommunikation, LED-Beleuchtung, Sperrwandler, Leistungsfaktorkorrektur (PFC) und Schaltnetzteile (SMPS).
Merkmale
Niedriger Gütefaktor (FOM), niedriger RDS(ein) x Qg
Niedrige Eingangskapazität (Ciss)
Niedriger Widerstand (RDS(ein))
Ultraniedrige Gatterladung (Qg)
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Verwandte Links
- Vishay E Typ N-Kanal 3-Pin TO-247
- Vishay E Typ N-Kanal 3-Pin SQW44N65EF-GE3 TO-247
- Vishay E Typ N-Kanal 3-Pin SiHG30N60E-GE3 TO-247
- Vishay SiHG039N60EF Typ N-Kanal 3-Pin SIHG039N60EF-GE3 TO-247
- Vishay E Typ N-Kanal 3-Pin SIHG24N80AE-GE3 TO-247
- Vishay E Typ N-Kanal 3-Pin SIHG21N80AEF-GE3 TO-247
- Vishay E Typ N-Kanal 3-Pin SIHG20N50E-GE3 TO-247
- Vishay E Typ N-Kanal 3-Pin SiHG080N60E-GE3 TO-247