Infineon CoolMOS C6 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-Transistor Erweiterung 600 V / 23.8 A 176 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 897-7172
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R160C6FKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Leistungs-Transistor | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 23.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | CoolMOS C6 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.16Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 176W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 75nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 21.1mm | |
| Breite | 5.21 mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC J-STD20, JESD22, Pb-Free Plating | |
| Länge | 16.13mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Leistungs-Transistor | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 23.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie CoolMOS C6 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.16Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 176W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 75nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 21.1mm | ||
Breite 5.21 mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC J-STD20, JESD22, Pb-Free Plating | ||
Länge 16.13mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C6/C7
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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