Infineon CoolMOS C6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 2.4 A 22.3 W, 3-Pin TO-252

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
214-9043
Herst. Teile-Nr.:
IPD60R2K0C6ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

CoolMOS C6

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.7nC

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Verlustleistung Pd

22.3W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

6.22 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.73mm

Höhe

2.41mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die CoolMOS C6-Serie kombiniert die Erfahrung des führenden SJ-MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Die angebotenen Geräte bieten alle Vorteile eines schnellen SJ-MOSFET ohne Einbußen bei der Benutzerfreundlichkeit. Extrem niedrige Schalt- und Leitungsverluste machen Schaltanwendungen noch effizienter, kompakter, leichter und kühler.

Einfach zu verwenden/zu treiben

Vollständig qualifiziert gemäß JEDEC für industrielle Anwendungen

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