Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 165 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 891-2945
Herst. Teile-Nr.:: TK20N60W,S1VF(S
Hersteller:: Toshiba

Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 165 W, 3-Pin TO-247

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100 - 198	€ 1,565	€ 3,13
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RS Best.-Nr.:: 891-2945
Herst. Teile-Nr.:: TK20N60W,S1VF(S
Hersteller:: Toshiba

TK20N60W, Silicon N-Channel DTMOS MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	20 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Gehäusegröße	TO-247
Serie	TK
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	155 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.7V
Verlustleistung max.	165 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	15.94mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	48 nC @ 10 V
Breite	5.02mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Höhe	20.95mm
Diodendurchschlagsspannung	1.7V

Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 165 W, 3-Pin TO-247

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MOSFET N-Kanal, Serie TK2x, Toshiba

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