Toshiba TK Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 11.5 A 110 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 827-6113
- Herst. Teile-Nr.:
- TK12E60W,S1VX(S
- Hersteller:
- Toshiba
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 2,49 | € 12,45 |
| 25 - 45 | € 1,996 | € 9,98 |
| 50 - 120 | € 1,82 | € 9,10 |
| 125 - 245 | € 1,668 | € 8,34 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 827-6113
- Herst. Teile-Nr.:
- TK12E60W,S1VX(S
- Hersteller:
- Toshiba
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 11.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | TK | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 300mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 25nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.7V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 110W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.16mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 15.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie TK | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 300mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.7V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 110W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.16mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 15.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN