Teile-Nr.

Toshiba TK Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 11.1 A 35 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 891-2875
Herst. Teile-Nr.:: TK11A65W,S5X(M
Hersteller:: Toshiba

Toshiba TK Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 11.1 A 35 W, 3-Pin TO-220

Vorübergehend ausverkauft

RS Best.-Nr.:: 891-2875
Herst. Teile-Nr.:: TK11A65W,S5X(M
Hersteller:: Toshiba

Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Toshiba
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	11.1A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Serie	TK
	Gehäusegröße	TO-220
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	390mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	30 V
	Maximale Verlustleistung Pd	35W
	Durchlassspannung Vf	-1.7V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	25nC
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	15mm
	Breite	4.5 mm
	Länge	10mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Toshiba
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11.1A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Serie TK
	Gehäusegröße TO-220
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 390mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 30 V
	Maximale Verlustleistung Pd 35W
	Durchlassspannung Vf -1.7V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25nC
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 15mm
	Breite 4.5 mm
	Länge 10mm
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: MY

Toshiba TK Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 11.1 A 35 W, 3-Pin TO-220

MOSFET-Transistoren, Toshiba

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