Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 17 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS

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RS Best.-Nr.:
168-7961
Herst. Teile-Nr.:
TK17A65W,S5X(M
Hersteller:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

17 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

TO-220SIS

Serie

TK

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

200 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.5V

Verlustleistung max.

45 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Breite

4.5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

45 nC @ 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

10mm

Höhe

15mm

MOSFET-Transistoren, Toshiba


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