Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 522 A 375 W, 6-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 872-4202
Herst. Teile-Nr.:: IRFS7430TRL7PP
Hersteller:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 522 A 375 W, 6-Pin D2PAK (TO-263)

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Herst. Teile-Nr.:: IRFS7430TRL7PP
Hersteller:: Infineon

MOSFET N-Channel 40V 522A D2PAK-6
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	522 A
Drain-Source-Spannung max.	40 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	6
Drain-Source-Widerstand max.	750 μΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.9V
Gate-Schwellenspannung min.	2.2V
Verlustleistung max.	375 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	9.65mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	305 nC @ 10 V
Länge	10.67mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	4.83mm

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 522 A 375 W, 6-Pin D2PAK (TO-263)

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N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 40 V, Infineon

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