Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 293 A 375 W, 8-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

€ 5,74

(ohne MwSt.)

€ 6,88

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 202 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 8€ 2,87€ 5,74
10 - 18€ 2,495€ 4,99
20 - 48€ 2,32€ 4,64
50 - 98€ 2,18€ 4,36
100 +€ 2,01€ 4,02

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
130-0993
Herst. Teile-Nr.:
IRFS3006TRL7PP
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

293A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

200nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

4.83 mm

Länge

10.67mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

9.65mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V bis 80 V, Infineon


Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Verwandte Links