onsemi UltraFET N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 75 A 375 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
864-8161
Herst. Teile-Nr.:
FDH5500_F085
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

75 A

Drain-Source-Spannung max.

55 V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

UltraFET

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

7 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

375 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Länge

20.82mm

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

15.87mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

118 nC @ 10 V, 206 nC @ 20 V

Höhe

4.82mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

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