onsemi UltraFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 75 A 515 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 145-4392
- Herst. Teile-Nr.:
- HUF75652G3
- Hersteller:
- onsemi
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
€ 170,34
(ohne MwSt.)
€ 204,42
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 180 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 + | € 5,678 | € 170,34 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 145-4392
- Herst. Teile-Nr.:
- HUF75652G3
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 75A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | UltraFET | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 393nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.25V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20, +20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 515W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 20.82mm | |
| Breite | 4.82mm | |
| Länge | 15.87mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 75A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie UltraFET | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 393nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.25V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20, +20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 515W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 20.82mm | ||
Breite 4.82mm | ||
Länge 15.87mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor
UltraFET® Trench-MOSFETs kombinieren Eigenschaften, die eine richtungsweisende Effizienz in der Leistungsumwandlung ermöglichen. Das Gerät hält im Stoßentladungsmodus einer hohen Energielast stand, und die Diode zeichnet sich durch eine sehr niedrige Umkehr-Erholzeit und gespeicherte Ladung aus. Optimiert für Effizienz bei hohen Frequenzen, niedrigste RDS(ein), niedriger ESR und niedrige Gesamt- und Miller-Gate-Ladung.
Anwendungen: DC/DC-Hochfrequenzwandler , Schaltregler, Motorantriebe, Niedrigspannungs-Busschalter und Stromüberwachung.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi UltraFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-247
- onsemi UltraFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-247
- onsemi UltraFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- onsemi UltraFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- onsemi UltraFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- onsemi UltraFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- onsemi UltraFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- onsemi UltraFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-220