onsemi QFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 3.4 A 38 W, 3-Pin TO-220F
- RS Best.-Nr.:
- 862-8772
- Herst. Teile-Nr.:
- FQPF5P20
- Hersteller:
- onsemi
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- FQPF5P20
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Serie | QFET | |
| Gehäusegröße | TO-220F | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.4Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 38W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 5V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 16.07mm | |
| Länge | 10.36mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Serie QFET | ||
Gehäusegröße TO-220F | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 38W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 5V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 16.07mm | ||
Länge 10.36mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
P-Kanal-MOSFET QFET®, Fairchild Semiconductor
Die neuen QFET® Planar-MOSFETs von FairFairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie, um die beste Betriebsleistung für eine Vielzahl von Anwendungen zu bieten, einschließlich Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasma-Anzeigetafeln (PDP), Beleuchtungsvorrichtungen und Bewegungssteuerung.
Sie bieten einen reduzierten Einschaltverlust durch Senkung des Einschaltwiderstands (RDS(on)), und einen reduzierten Schaltverlust durch Senkung der Gate-Ladung (Qg) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch den Einsatz der Advanced QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild eine verbesserte Leistung (FOM) gegenüber konkurrierenden Planar-MOSFET-Geräten bieten.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
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Semi-MOSFETs von ON bieten eine überlegene Konstruktionszuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überspannungen bis hin zu einer niedrigeren Anschlusskapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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