onsemi Einfach QFET Typ P, Typ P-Kanal 1, Durchsteckmontage, Durchsteckmontage MOSFET 200 V Erweiterung / 3.4 A 38 W,

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RS Best.-Nr.:
145-4635
Herst. Teile-Nr.:
FQPF5P20
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

TO-220F

Serie

QFET

Montageart

Durchsteckmontage, Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10nC

Maximale Verlustleistung Pd

38W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

5V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Einfach

Normen/Zulassungen

No

Höhe

16.07mm

Länge

10.36mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

P-Kanal-MOSFET QFET®, Fairchild Semiconductor


Die neuen QFET® Planar-MOSFETs von FairFairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie, um die beste Betriebsleistung für eine Vielzahl von Anwendungen zu bieten, einschließlich Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasma-Anzeigetafeln (PDP), Beleuchtungsvorrichtungen und Bewegungssteuerung.

Sie bieten einen reduzierten Einschaltverlust durch Senkung des Einschaltwiderstands (RDS(on)), und einen reduzierten Schaltverlust durch Senkung der Gate-Ladung (Qg) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch den Einsatz der Advanced QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild eine verbesserte Leistung (FOM) gegenüber konkurrierenden Planar-MOSFET-Geräten bieten.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


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Semi-MOSFETs von ON bieten eine überlegene Konstruktionszuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überspannungen bis hin zu einer niedrigeren Anschlusskapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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