Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 16 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 827-3916
Herst. Teile-Nr.:: IRF9317TRPBF
Hersteller:: Infineon

Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 16 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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Herst. Teile-Nr.:: IRF9317TRPBF
Hersteller:: Infineon

IRF9317TRPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	16 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	SOIC
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	10,2 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.4V
Gate-Schwellenspannung min.	1.3V
Verlustleistung max.	2,5 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	4mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	31 nC @ 4,5 V, 61 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	5mm
Höhe	1.5mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 16 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon

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