Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 20 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 827-3912
Herst. Teile-Nr.:: IRF9310TRPBF
Hersteller:: Infineon

Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 20 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

Mengenrabatt verfügbar

Preis pro 1 Stück (in Packung zu 10)

€ 1,23

(ohne MwSt.)

€ 1,48

(inkl. MwSt.)

3640 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).*

* Die Liefertermine können sich je nach gewählter Menge und Lieferadresse ändern.

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00

Stück	Pro Stück	Pro Packung**
10 - 90	€ 1,23	€ 12,30
100 - 240	€ 1,168	€ 11,68
250 - 490	€ 1,119	€ 11,19
500 - 990	€ 1,045	€ 10,45
1000 +	€ 0,984	€ 9,84

**Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 827-3912
Herst. Teile-Nr.:: IRF9310TRPBF
Hersteller:: Infineon

IRF9310TRPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	20 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	SOIC
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	6,8 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.4V
Gate-Schwellenspannung min.	1.3V
Verlustleistung max.	2,5 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Länge	5mm
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	4mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	110 nC @ 15 V, 58 nC @ 4,5 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Höhe	1.5mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 20 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon

Verwandte Produkte