Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 20 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 827-3912
Herst. Teile-Nr.:: IRF9310TRPBF
Hersteller:: Infineon

Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 20 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:: 827-3912
Herst. Teile-Nr.:: IRF9310TRPBF
Hersteller:: Infineon

IRF9310TRPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	20 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	SOIC
Serie	HEXFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	6,8 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.4V
Gate-Schwellenspannung min.	1.3V
Verlustleistung max.	2,5 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	5mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	110 nC @ 15 V, 58 nC @ 4,5 V
Breite	4mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	1.5mm

Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 20 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon

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