Infineon HEXFET N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 5,3 A; 6,6 A 2 W, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 826-8875
Herst. Teile-Nr.:: IRF7317TRPBF
Hersteller:: Infineon

Infineon HEXFET N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 5,3 A; 6,6 A 2 W, 8-Pin SOIC

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Herst. Teile-Nr.:: IRF7317TRPBF
Hersteller:: Infineon

IRF7317TRPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N, P
Dauer-Drainstrom max.	5,3 A; 6,6 A
Drain-Source-Spannung max.	20 V
Gehäusegröße	SOIC
Serie	HEXFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	46 mΩ, 98 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	0.7V
Gate-Schwellenspannung min.	0.7V
Verlustleistung max.	2 W
Transistor-Konfiguration	Isoliert
Gate-Source Spannung max.	-12 V, +12 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	18 nC @ 4,5 V, 19 nC @ 4,5 V
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	4mm
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	5mm
Höhe	1.5mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

Infineon HEXFET N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 5,3 A; 6,6 A 2 W, 8-Pin SOIC

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Zweifach-N/P-Kanal-MOSFET, Infineon

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