Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 40 A 37 W, 8-Pin BSZ0904NSIATMA1 TSDSON

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RS Best.-Nr.:
825-9089
Herst. Teile-Nr.:
BSZ0904NSIATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

TSDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.5nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

37W

Durchlassspannung Vf

0.56V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

3.4 mm

Höhe

1.1mm

Länge

3.4mm

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Nicht zutreffend

Infineon OptiMOS™ Leistungs-MOSFET-Produktfamilie


optimos™ Produkte sind erhältlich in hohe Performance Packages zur Bewältigung der anspruchsvollsten Anwendungen für die volle Flexibilität bei eingeschränkten Platzverhältnissen. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen.

N-Kanal - Anreicherungstyp

Kfz AEC Q101 zugelassen

MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung

175 °C Betriebstemperatur

grünen Paket (bleifrei)

Extrem niedriger RDS(on)

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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