DiodesZetex Isoliert Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 4.5 A 1.3 W, 6-Pin TSOT
- RS Best.-Nr.:
- 823-2915
- Herst. Teile-Nr.:
- DMG6601LVT-7
- Hersteller:
- DiodesZetex
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TSOT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 190mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.75V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5.4nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.3W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0 | |
| Länge | 2.9mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TSOT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 190mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.75V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5.4nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.3W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.9mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0 | ||
Länge 2.9mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Zweifacher N/P-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
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