DiodesZetex Isoliert Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 4.5 A 1.3 W, 6-Pin TSOT

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RS Best.-Nr.:
823-2915
Herst. Teile-Nr.:
DMG6601LVT-7
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

TSOT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

190mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

150°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

5.4nC

Maximale Verlustleistung Pd

1.3W

Durchlassspannung Vf

0.75V

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Normen/Zulassungen

AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0

Höhe

0.9mm

Länge

2.9mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Zweifacher N/P-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


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