DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 8.6 A 880 mW, 8-Pin TSSOP

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RS Best.-Nr.:
822-2542
Herst. Teile-Nr.:
DMN2016UTS-13
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

TSSOP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

16.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.65V

Maximale Verlustleistung Pd

880mW

Betriebstemperatur min.

150°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

16.5nC

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Höhe

1.025mm

Normen/Zulassungen

J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101

Länge

4.5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Zweifacher N-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


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