Vishay SQ Rugged SQ3456BEV-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 7,8 A 4 W, 6-Pin TSOP-6

RS Best.-Nr.:: 819-3914
Herst. Teile-Nr.:: SQ3456BEV-T1_GE3
Hersteller:: Vishay

Vishay SQ Rugged SQ3456BEV-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 7,8 A 4 W, 6-Pin TSOP-6

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RS Best.-Nr.:: 819-3914
Herst. Teile-Nr.:: SQ3456BEV-T1_GE3
Hersteller:: Vishay

SQ3456BEV, Automotive N-Channel 30V (D-S) 175degC MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	7,8 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Serie	SQ Rugged
Gehäusegröße	TSOP-6
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	6
Drain-Source-Widerstand max.	64 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	1.5V
Verlustleistung max.	4 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	1.7mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	6 nC @ 10 V
Länge	3.1mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Automobilstandard	AEC-Q101
Höhe	1mm

Vishay SQ Rugged SQ3456BEV-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 7,8 A 4 W, 6-Pin TSOP-6

N-Kanal MOSFET, Serie Automotive SQ Rugged, Vishay Semiconductor

Vorteile von MOSFETs der Serie SQ Rugged

Zulassungen

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