Vishay SiHF840S Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 500 V / 8.1 A 125 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
815-2657
Herst. Teile-Nr.:
SIHF840STRL-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

500V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

SiHF840S

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

850mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

63nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

10.67mm

Breite

9.65 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

4.83mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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