Vishay SiHF630S Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 9 A 74 W, 3-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

€ 17,64

(ohne MwSt.)

€ 21,17

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 13. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 90€ 1,764€ 17,64
100 - 240€ 1,657€ 16,57
250 - 490€ 1,50€ 15,00
500 - 990€ 1,412€ 14,12
1000 +€ 1,322€ 13,22

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
815-2623
Herst. Teile-Nr.:
SIHF630STRL-GE3
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

SiHF630S

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

400mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

74W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

43nC

Durchlassspannung Vf

2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

4.83mm

Länge

10.67mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Verwandte Links