Vishay SiHF630S Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 9 A 74 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
815-2623
Herst. Teile-Nr.:
SIHF630STRL-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Serie

SiHF630S

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

400mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

43nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

74W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

4.83mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.67mm

Breite

9.65 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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