Vishay SiHFBC30AS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 3.6 A 74 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
165-6093
Herst. Teile-Nr.:
SIHFBC30AS-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

SiHFBC30AS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.2Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.6V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

74W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

23nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

4.83mm

Breite

9.65 mm

Länge

10.67mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MOSFET, 600 V bis 1000 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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