Vishay Isoliert TrenchFET Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 12 V Erweiterung / 4.5 A 6.5 W, 6-Pin SC-70

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*

€ 10,18

(ohne MwSt.)

€ 12,22

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 24. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
20 - 180€ 0,509€ 10,18
200 - 480€ 0,448€ 8,96
500 - 980€ 0,377€ 7,54
1000 - 1980€ 0,357€ 7,14
2000 +€ 0,309€ 6,18

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
814-1225
Herst. Teile-Nr.:
SIA517DJ-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

12V

Gehäusegröße

SC-70

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

170mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

150°C

Maximale Verlustleistung Pd

6.5W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

9.7nC

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Länge

2.15mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.8mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Zweifach-N/P-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.