Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 20 V Erweiterung / 1.1 A 1.25 W, 6-Pin SC-88
- RS Best.-Nr.:
- 812-3108
- Herst. Teile-Nr.:
- SI1967DH-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 50 Stück)*
€ 13,90
(ohne MwSt.)
€ 16,70
(inkl. MwSt.)
Lagerbestand aktuell unbekannt - Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 0,278 | € 13,90 |
| 250 - 450 | € 0,208 | € 10,40 |
| 500 - 1200 | € 0,194 | € 9,70 |
| 1250 - 2450 | € 0,167 | € 8,35 |
| 2500 + | € 0,144 | € 7,20 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 812-3108
- Herst. Teile-Nr.:
- SI1967DH-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SC-88 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 790mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 2.6nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.25W | |
| Betriebstemperatur min. | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Maximale Betriebstemperatur | -55°C | |
| Höhe | 1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 2.2mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SC-88 | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 790mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.6nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.25W | ||
Betriebstemperatur min. 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Maximale Betriebstemperatur -55°C | ||
Höhe 1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 2.2mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Zweifach-P-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Verwandte Links
- Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2 6-Pin SC-88
- Vishay Isoliert TrenchFET Typ P Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 700 mA 340 mW, 6-Pin SC-88
- Vishay Isoliert TrenchFET Typ N-Kanal 2 6-Pin SC-88
- Vishay Isoliert TrenchFET Typ P Oberfläche Leistungs-MOSFET 12 V Erweiterung / 4.5 A 6.5 W, 6-Pin SC-70
- Vishay Isoliert TrenchFET Typ P Oberfläche 6-Pin SC-89-6
- Vishay Isoliert TrenchFET Typ P Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 300 mA 250 mW, 6-Pin SC-89-6
- Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2 8-Pin ChipFET
- Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2 8-Pin SOIC
