Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 20 V Erweiterung / 1.1 A 1.25 W, 6-Pin SC-88

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
812-3108
Herst. Teile-Nr.:
SI1967DH-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

SC-88

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

790mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

2.6nC

Maximale Verlustleistung Pd

1.25W

Betriebstemperatur min.

150°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Höhe

1mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

2.2mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Zweifach-P-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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